Sk海力士推出高带宽存储（HBS）技术，集DRAM和NAND闪存于一device。该技术旨在为移动设备的AI处理负载提供更大幅度的提升。这种新型存储芯片可以堆叠16层DRAM与NAND，通过独特的垂直导线扇出结构（VFO）实现层间互连。
此前Sk海力士已在Apple Vision Pro产品中采用VFO DRAM，但HBS技术则进一步整合了NAND闪存。这种技术不仅提高封装效率，还改善散热和芯片体积缩减。与传统弯导线连接方式相比，VFO可将层间电子传输空间需求减少4.6倍，整体能效提升4.9%，散热提升1.4%，芯片厚度减至传统方案的73%。
与SanDisk合作开发的HBF技术不同，HBS无需穿硅通孔（TSV），制造环节更简化，良品率更高，生产成本更低，有利于在半导体行业广泛推广。新型DRAM+NAND堆叠模块将直接与应用处理器（AP）共封装，显著提升智能手机及SoC终端的数据处理速度。
Sk海力士此次创新，目标是进一步推动移动端AI性能提升。但具体表现尚有待实际检验。公司计划于2029年至2031年正式发布该项技术。目前由于2026年新一代芯片销售火爆，Sk海力士产能已出现紧张。
此前Sk海力士已在Apple Vision Pro产品中采用VFO DRAM，但HBS技术则进一步整合了NAND闪存。这种技术不仅提高封装效率，还改善散热和芯片体积缩减。与传统弯导线连接方式相比，VFO可将层间电子传输空间需求减少4.6倍，整体能效提升4.9%，散热提升1.4%，芯片厚度减至传统方案的73%。
与SanDisk合作开发的HBF技术不同，HBS无需穿硅通孔（TSV），制造环节更简化，良品率更高，生产成本更低，有利于在半导体行业广泛推广。新型DRAM+NAND堆叠模块将直接与应用处理器（AP）共封装，显著提升智能手机及SoC终端的数据处理速度。
Sk海力士此次创新，目标是进一步推动移动端AI性能提升。但具体表现尚有待实际检验。公司计划于2029年至2031年正式发布该项技术。目前由于2026年新一代芯片销售火爆，Sk海力士产能已出现紧张。
什么是HBS？它到底可以带来多少改善呢？ 
Sk 海力士说它可以提高AI处理负载，但是实际上我们还是需要等待新的智能手机和计算机来试 nghiệm这个技术的效果。 
在这种新型存储芯片中，层间电子传输空间需求减少了4.6倍，这听起来太容易吗？ 
有道理的说法是，高带宽存储技术并不是解决当前移动设备AI处理负载问题的_magic bullet 
。
Sk 海力士的 HBS 技术真的是太酷了！ 
这样的高带宽存储技术，一定会给移动设备的 AI 处理负载提供巨大的提升。16 层 DRAM 和 NAND 的堆叠，通过独特的 VFO 구조，是如此神奇！ 
直接与应用处理器共封装，能否提高智能手机及 SoC终端的数据处理速度呢？ 
Sk 海力士的 HBS 技术真的是非常有希望！ 
如果可以让移动设备的 AI 处理负载提升到这种程度，那就意味着 Future 的 AI 应用将变得更加实用和丰富了！ 
甚至在 2026 年新一代芯片销售火爆的背景下，Sk 海力士的产能紧张也不能成为阻碍，因为他们的创新能力是未来技术发展中的重要驱动力！ 
应该是在2027-2028年发布新的产品，不然就会错过市场的风头 
。
。以及，为什么 Sk 海力士的产能会紧张呢？ 
。先说它有啥好处，确实可以提高封装效率、散热和芯片体积缩减 
，如果不能成功推广到其他品牌手机上，那这个技术就要被遗弃 
。
。另外，新一代芯片销售火爆，这意味着Sk 海力士需要花更多的时间和资源来适应这个新市场 
。还有一点疑虑，就是HBS technology 和传统弯导线连接方式之间差异到底有多大？是否能够带来真正的性能提升 
... Sk海力士说它可以减少芯片体积，好像是为了手机用的 
，但这个 HBS 2.0 的技术真的是有意思啊！ 
。
Sk 海力士还是得把这项技术推广下去啊！ 他们要在 2029 年至 2031 年正式发布这个技术 
，但目前的计划是不是太好发型了呢？ 
由于 2026 年新一代芯片销售火爆，Sk 海力士产能还在紧张 
。
但是，在Sk 海力士计划推出这项技术之前，我们还是需要在实际检验中看到它的真正效果 
因为不需要穿硅通孔（TSV）， manufacturing 的环节就变得比较容易了。 
移动设备的 AI 处理需求越来越高啊！ 
。而且这种技术不仅提高封装效率，还改善散热和芯片体积缩减，制造环节更简化 
. 我记得在上世纪90年代中期，那个时候的AMD和IBM就有过类似的研究
, 但还没有能成功推广到 Industry 
. Sk 海力士这次创新，希望能更快地填补这个空子
. 但是目前生产能力紧张，这种技术是否能够真正实现预期效果？