据称三星半导体正推进一项针对高带宽内存(HBM)的全新2纳米工艺项目,其计划是为不同客户需求开发定制化HBM逻辑芯片。Industry insiders表示,尽管具体客户名单尚未披露,但三星HBM开发团队已经开始为下一代产品预研使用“先进至 2 纳米”的晶圆代工制程,为未来数代 HBM 解决方案奠定基础。
目前尚不清楚该计划最终将采用三星自家代工体系中的SF2还是 SF2P 等 2 纳米节点。根据现有信息,三星的第六代HBM产品线(HBM4)预计将基于 4 纳米制程,而外界普遍推测来自SF4家族节点。
一位不愿具名的公司内部人士透露,三星电子正在系统LSI事业部下去年新成立的定制 SoC 团队主导下,为HBM设计定制逻辑芯片,并构建覆盖 4 纳米到 2 纳米的工艺组合,以响应不同客户的多元化需求。
Industry分析认为,面向未来的超高性能AI加速器将高度依赖性能与带宽更为前沿的HBM模组。随着2纳米逻辑芯片真正落地,企业级AI市场被寄望会出现“强劲”需求增长,这一时间点很可能要等到第七代产品HBM4E之后,即2027年以后。
目前尚不清楚该计划最终将采用三星自家代工体系中的SF2还是 SF2P 等 2 纳米节点。根据现有信息,三星的第六代HBM产品线(HBM4)预计将基于 4 纳米制程,而外界普遍推测来自SF4家族节点。
一位不愿具名的公司内部人士透露,三星电子正在系统LSI事业部下去年新成立的定制 SoC 团队主导下,为HBM设计定制逻辑芯片,并构建覆盖 4 纳米到 2 纳米的工艺组合,以响应不同客户的多元化需求。
Industry分析认为,面向未来的超高性能AI加速器将高度依赖性能与带宽更为前沿的HBM模组。随着2纳米逻辑芯片真正落地,企业级AI市场被寄望会出现“强劲”需求增长,这一时间点很可能要等到第七代产品HBM4E之后,即2027年以后。