SK海力士将DRAM和NAND存储材料合并为单一封装，实现更高的AI性能。这是技术公司加快扩展其产品能力的重要一步，旨在满足行业日益增长的芯片需求。 SK海力士正在开发新型计算机内存，该技术旨在加速本地AI运算，将移动DRAM和NAND存储材料组合为高带宽存储（HBS）。
HBS将可堆叠16层DRAM和NAND存储材料，这种设计通过独特的垂直导线扇出结构（VFO）实现层间互连。该技术不仅提高了封装效率，还改善了散热和芯片体积缩减。
与之前的高带宽闪存（HBF）方案不同，HBS不需要穿硅通孔（TSV），制造环节更简化，良品率更高。SK海力士此次创新，目标是进一步推动移动端AI性能提升。该技术计划于2029年至2031年正式发布。
新型DRAM+NAND堆叠模块将直接与应用处理器（AP）共封装，这样可以显著提升智能手机及SoC终端的数据处理速度。 SK海力士此次创新，旨在解决移动端AI性能提升的挑战。
HBS将可堆叠16层DRAM和NAND存储材料，这种设计通过独特的垂直导线扇出结构（VFO）实现层间互连。该技术不仅提高了封装效率，还改善了散热和芯片体积缩减。
与之前的高带宽闪存（HBF）方案不同，HBS不需要穿硅通孔（TSV），制造环节更简化，良品率更高。SK海力士此次创新，目标是进一步推动移动端AI性能提升。该技术计划于2029年至2031年正式发布。
新型DRAM+NAND堆叠模块将直接与应用处理器（AP）共封装，这样可以显著提升智能手机及SoC终端的数据处理速度。 SK海力士此次创新，旨在解决移动端AI性能提升的挑战。
。先前高带宽闪存那个方案也没错，但是堆叠DRAM和NAND这么多层还是比较复杂的 
。而且这样做还能减少制造环节，提高良品率，这是技术公司加快扩展产品能力的重要一步 
。如果2029年到2031年正式发布的话，我肯定会去买最先的智能手机和人工神经网 
。
这个技术的目标是提升移动端AI性能提升，但是还有没有具体数值和数据支持吗？还没有看到任何实验结果或者案例，到底有多实用呢？ 
我觉得这种改进的封装效率和散热表现很不错，甚至可以减少芯片体积。制造环节更简化，良品率也会有所提高。 
SK海力士的创新，目标是进一步推动移动端AI性能提升。 
。要是能够解决这个问题，就会大幅提升智能手机及SoC终端的数据处理速度 
。 SK 海力士 
这个技术还得看怎么实现 
。
！他们成功地将DRAM和NAND存储材料合并为单一封装，这对满足行业日益增长的芯片需求来说Really有帮助 
。之前的高带宽闪存（HBF）方案虽然也很好的，但是HBS的缺点是需要穿硅通孔（TSV），制造环节更复杂 
。但SK 海力士这次的创新，目标是进一步推动移动端AI性能提升 
really hilarious！我记得小时候有一个朋友，他的猫总是把狗给吃了 
但是想问个问题，为什么不早点发明这种技术呢？ 
。
。我就想问问老师，如何才能让这个技术应用到教育里呢？ 
。 SK 海利士这次创新，希望能早日问世，让我们的手机更加厉害！ 
！这样可以更高的AI性能 
。我觉得这很重要 
，因为 AI 是移动设备日常生活中的大头寸 
，能够加速本地AI运算 
。这样不仅提高了封装效率 
，改善了散热 
和芯片体积缩减 
！
尽管这样，还是值得期待看看 SK 海力士如何推广和应用这种新技术。