摩尔定律逼近物理极限的"后摩尔时代"，半导体行业的演进逻辑正在经历深刻的变化。过去我们依赖的二维平面微缩利益渐趋枯竭，三维集成（3D Integration）由此成为延续摩尔定律、突破算力桎梏的必由之路。
然而，2.5D/3D封装与异构集成的深度发展，对垂直互连密度与基板物理性能提出了极为苛刻的要求。硅基板在高频损耗、制造成本与工艺复杂度上的先天不足持续放大，而玻璃基板凭借低介电损耗、高尺寸稳定性等独特优势，正推动半导体封装由"硅基时代"向"玻璃基时代"悄然跨越。
在此进程中，玻璃通孔（Through-Glass Via,TGV）技术作为连接宏观材料与微观电路的关键枢纽，不仅是先进封装的一项核心支撑技术，更已成为半导体产业价值重构的战略制高点之一。TGV基板产业链示意图。
TGV技术的崛起，正是基于对上述物理极限的深刻洞察与突破。在高品质硼硅玻璃或石英为基材，通过激光诱导、湿法蚀刻与电镀填充等工艺，TGV实现了微米级的垂直互连。其优势不仅在于优良的高频电学特性，更在于大尺寸超薄衬底的易获取性与工艺的简化性。
无需复杂的绝缘层沉积，且在超薄状态下仍能保持极低的翘曲度，使得TGV成为射频芯片、高端MEMS及高密度系统集成的理想载体。这不仅是工艺的革新，更是材料科学赋能信息产业的一次范式转移。
全球产业巨头对TGV的战略价值早有卡位。美国康宁、日本旭硝子等国际玻璃巨头，凭借在超大尺寸、超薄柔性玻璃领域的深厚积淀，构筑了坚实的材料壁垒。在工艺端，欧美日企业依托先发优势，在高深宽比成孔与低温键合等核心环节形成了技术垄断。
然而，全球产业链的韧性正面临重构，中国半导体产业在先进封装领域的突围，亟需寻找一个能够实现“换道超车”的技术奇点，TGV或许正是一种历史契机。国家"十四五"规划及新一代人工智能发展规划中，对三维集成技术的战略定调，为国内产业的崛起提供了顶层设计的支撑。
安徽华创鸿度的探索颇具样本意义。作为国内TGV技术研发的先行者之一，华创鸿度并未盲目跟从，而是立足安徽省半导体材料与装备的产业土壤，聚焦激光诱导刻蚀这一关键路径。
其在深宽比20:1通孔量产上的突破，标志着中国企业已具备挑战国际先进水平的硬核实力。这种以激光诱导变性、氢氟酸刻蚀为核心的工艺路线，巧妙平衡了高深宽比、侧壁质量与制造成本，为国内TGV的产业化探索出了一条可行之路。
但必须清醒地看到，华创鸿度的突破并非孤峰独秀，而是中国TGV产业链协同演进的缩影。从专用玻璃基材的研发，到飞秒激光设备、电镀填充设备的国产化替代，再到下游AI芯片与射频器件的验证应用，一条“材料-设备-工艺-应用”的完整生态链正在形成。
这种全链条的协同创新，是中国制造业体系优势的集中体现。TGV技术的崛起，不仅是半导体封装工艺的一次技术迭代，也是中国半导体产业实现高质量发展、摆脱路径依赖的战略抓手之一。
未来五至十年，随着产业链协同的深化与工艺瓶颈的逐一突破，TGV有望推动三维集成迈入全新阶段。
然而，2.5D/3D封装与异构集成的深度发展，对垂直互连密度与基板物理性能提出了极为苛刻的要求。硅基板在高频损耗、制造成本与工艺复杂度上的先天不足持续放大，而玻璃基板凭借低介电损耗、高尺寸稳定性等独特优势，正推动半导体封装由"硅基时代"向"玻璃基时代"悄然跨越。
在此进程中，玻璃通孔（Through-Glass Via,TGV）技术作为连接宏观材料与微观电路的关键枢纽，不仅是先进封装的一项核心支撑技术，更已成为半导体产业价值重构的战略制高点之一。TGV基板产业链示意图。
TGV技术的崛起，正是基于对上述物理极限的深刻洞察与突破。在高品质硼硅玻璃或石英为基材，通过激光诱导、湿法蚀刻与电镀填充等工艺，TGV实现了微米级的垂直互连。其优势不仅在于优良的高频电学特性，更在于大尺寸超薄衬底的易获取性与工艺的简化性。
无需复杂的绝缘层沉积，且在超薄状态下仍能保持极低的翘曲度，使得TGV成为射频芯片、高端MEMS及高密度系统集成的理想载体。这不仅是工艺的革新，更是材料科学赋能信息产业的一次范式转移。
全球产业巨头对TGV的战略价值早有卡位。美国康宁、日本旭硝子等国际玻璃巨头，凭借在超大尺寸、超薄柔性玻璃领域的深厚积淀，构筑了坚实的材料壁垒。在工艺端，欧美日企业依托先发优势，在高深宽比成孔与低温键合等核心环节形成了技术垄断。
然而，全球产业链的韧性正面临重构，中国半导体产业在先进封装领域的突围，亟需寻找一个能够实现“换道超车”的技术奇点，TGV或许正是一种历史契机。国家"十四五"规划及新一代人工智能发展规划中，对三维集成技术的战略定调，为国内产业的崛起提供了顶层设计的支撑。
安徽华创鸿度的探索颇具样本意义。作为国内TGV技术研发的先行者之一，华创鸿度并未盲目跟从，而是立足安徽省半导体材料与装备的产业土壤，聚焦激光诱导刻蚀这一关键路径。
其在深宽比20:1通孔量产上的突破，标志着中国企业已具备挑战国际先进水平的硬核实力。这种以激光诱导变性、氢氟酸刻蚀为核心的工艺路线，巧妙平衡了高深宽比、侧壁质量与制造成本，为国内TGV的产业化探索出了一条可行之路。
但必须清醒地看到，华创鸿度的突破并非孤峰独秀，而是中国TGV产业链协同演进的缩影。从专用玻璃基材的研发，到飞秒激光设备、电镀填充设备的国产化替代，再到下游AI芯片与射频器件的验证应用，一条“材料-设备-工艺-应用”的完整生态链正在形成。
这种全链条的协同创新，是中国制造业体系优势的集中体现。TGV技术的崛起，不仅是半导体封装工艺的一次技术迭代，也是中国半导体产业实现高质量发展、摆脱路径依赖的战略抓手之一。
未来五至十年，随着产业链协同的深化与工艺瓶颈的逐一突破，TGV有望推动三维集成迈入全新阶段。
TGV技术的崛起，是半导体行业的另一个巨大变化 
。之前我们一直在依赖于硅基板，但现在玻璃基板已经成为主流了 
。这种转变对整个行业来说，是一个巨大的挑战，也是机遇 
。
我们看到，全球产业巨头已经开始了TGV技术的竞争 
。美国康宁、日本旭硝子等国际玻璃巨头，在超大尺寸、超薄柔性玻璃领域都有自己的优势 
。但中国半导体产业也不能被落后 
。
TGV技术的发展，正是基于对物理极限的深刻洞察与突破 
。这种技术，不仅能在工艺上带来创新，还可以从材料科学赋能信息产业的角度来看 
我们看到，安徽华创鸿度的探索颇具样本意义 
。他们已经实现了深宽比20:1通孔量产，这是一个非常大的突破 
！这种技术路线，巧妙平衡了高深宽比、侧壁质量与制造成本。
但是，我们必须清醒地看到，这种突破，并非孤峰独秀，而是中国TGV产业链协同演进的缩影 
。从专用玻璃基材的研发，到飞秒激光设备、电镀填充设备的国产化替代，再到下游AI芯片与射频器件的验证应用，一条“材料-设备-工艺-应用”的完整生态链正在形成 
。
未来五至十年，随着产业链协同的深化与工艺瓶颈的逐一突破，TGV有望推动三维集成迈入全新阶段 
这个 news 真的是让人兴奋啊！二维平面微缩利益渐趋枯竭，3D集成就好受了？ 
但玻璃基板的优势又是那么明显了，低介电损耗、高尺寸稳定性真的太好了！ 
这个技术的发展，会有多大的影响力呢？ 
TGV技术的崛起可能是 China 半导体 industries 进入"后摩尔时代"的关键 
。然而， TGV 的发展还需要依靠国内材料和设备的发展 
glass base技术的优势显而易见，但是仍然面临一些挑战。
Glass 通孔技术的发展是基于对上述物理极限的深刻洞察与突破。通过激光诱导、湿法蚀刻与电镀填充等工艺，TGV实现了微米级的垂直互连，其优势不仅在于优良的高频电学特性，更在于大尺寸超薄衬底的易获取性与工艺的简化性。
国际产业巨头早已对 TGV 的战略价值做出判断，但中国半导体产业仍然需要寻找一个能够实现“换道超车”的技术奇点。安徽华创鸿度的探索颇具样本意义，他们的突破标志着中国企业已具备挑战国际先进水平的硬核实力。
。安徽华创鸿度的突破只是这一过程中的一个关键点，而不是终点。我们需要更多的国产化替代、飞秒激光设备的国产化、下游AI芯片与射频器件的验证应用等 
。
。
我觉得这就是摩尔定律的后果，人们又想找新的办法来突破极限